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1.半导体SiC器件动态参数测试系统
具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点，实现 MOSFET、IGBT、DIODE功率器件动态参数的精确测试。
2.半导体分立器件动静态参数测试系统:
适用于传统硅基及SiC基二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九大类半导体分立器件全静态参数以及二极管，MOSFET 反向恢复测试。