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InGaAs APD 四象限光电探测器是一款近红外的高性能光电位置探测器，光谱响应范围为0.9~ 1.7μm，具有高探测灵敏度、高空间分辨率以及快响应速度，广泛用于对准检测，精密位移测量，震动检测，角度测量，制导等应用，该探测器封装形式为TO39类型。
产品特点（Features）
应用领域（Applications）
电光特性（O/E Characteristics）
|
参数 |
符号 |
单位 |
测量条件 |
最小 |
典型 |
最大 |
|
光敏面直径 |
Φ |
μm |
|
1000 |
||
|
象限间隔 |
d |
μm |
|
100 |
||
|
击穿电压 |
VBR |
Vm |
ID=100uA，无光照 |
40 |
|
60 |
|
响应度 |
Re |
A/W |
λ=1.55µm, M=1 |
0.9 |
|
|
|
响应时间 |
t |
ns |
f=1MHz,RL=50Ω |
|
1.5 |
3 |
|
暗电流 |
ID |
nA |
M=10 |
|
25 |
100 |
|
串扰 |
SL |
|
M=10 |
|
10% |
|
|
电容 |
C |
pF |
f=1MHz，M=10 |
|
12 |
15 |
|
最大可用增益 |
M |
V |
VBR-1 |
20 |
|
|
|
击穿电压温度系数 |
η |
V/℃ |
-40~+85℃ |
|
0.1 |
0.15 |
绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings）
| 项目 | 参数/符号 | 额定值 |
| 绝对最大额定值 | 贮存温度，Tstg | ﹣50℃~﹢85℃ |
| （工作）环境温度，Tc | ﹣50℃~﹢80℃ | |
| 反向工作电压, VR | 0.99Vbr | |
| 正向电流, IF | 10mA | |
| 静电放电敏感度，ESD | ≥300V |
